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      資料氫氣發生器在MOCVD中的廣泛應用
      時間:2021/7/28 閱讀:983
        MOCVD是一種新型的氣相外延生長技術,它是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的,是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
       
        氫氣發生器在MOCVD中的廣泛應用:
       
        在MOCVD中,氫氣可以擔當載氣,將III(II)金屬有機物和V(VI)族氫化物以及摻雜源攜帶運輸到反應室內,為化學沉積反應和薄膜生長提供基礎,MOCVD要求氫氣純度≥99.999%(≥5N),進口壓力為4-7bar,而氫氣發生器所產氫氣可以符合這一領域的用氣需求。同時,氫氣純度穩定不變,減少了氫氣純度波動對設備的影響。
       
        除此之外,設備操作便捷,保障氫氣供應連續不間斷,用戶無需擔心氫氣用完,也無需和高壓氣體鋼瓶接觸,發生器自動運行,無需額外人工操作;發生器自動偵測自身工作狀態和錯誤,一旦偵測異常,發生器報警。下面介紹MOCVD氫氣發生器相關信息。
       
        MOCVD氫氣發生器由超純水機制取二級水,并儲存至水箱備用。氫氣發生器缺水時,自動供給至氫氣發生器。多臺氫氣發生器可串聯使用,通過串聯控制線由一臺發生器控制其他發生器,實現產氣均勻分配。(以兩臺設備為例控制圖如下)
       
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